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Hg敏化相关论文

Hg敏化光CVD SiO2薄膜最佳工艺条件的研究

本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反......

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低温 Hg敏化光—CVD SiO2薄膜

低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si3N4薄膜

用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si3N4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si3......

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低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si3N4 薄膜

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